Technické parametry

Napadlo vás někdy, co se vlastně skrývá uvnitř spínaných napájecích zdrojů? Jaké je jejich skutečné „srdce“ a bez jakých součástek by tyto zdánlivě nenápadné krabičky nedokázaly fungovat?

Spínané zdroje dnes najdeme téměř všude, od nabíječek a LED osvětlení až po průmyslovou elektroniku. Přesto jejich vnitřní struktura zůstává pro mnoho lidí skrytá. V tomto článku se podíváme na nejdůležitější komponenty, se kterými se u většiny spínaných zdrojů setkáte  a vysvětlíme si, proč jsou pro jejich správnou funkci naprosto klíčové. Bez nich by byl provoz zdroje výrazně omezený, nebo by nebyl možný vůbec.

První komerčně rozšířené spínané napájecí zdroje se začaly vyvíjet v 70. letech, zdroje byly založené na křemíkových polovodičích, se spínacím prvkem v podobě BJT tranzistoru, V 90. letech byly bipolární tranzistory postupně nahrazeny výkonovými MOSFETy u nižších a středních výkonů a IGBT tranzistory u vyšších výkonových aplikací. 

Zdroje využívající technologii GaN se začaly komerčně prosazovat přibližně kolem roku 2015, kde byly zpočátku především u nižších výkonů, kde se začaly používat díky jejich  kompaktnosti v nabíjecích systémech do notebooků a telefonů. Technologie GaN spínaných zdrojů se rozšiřuje také v oblasti napájení serverových zdrojů, automotive a více.